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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W201-120K6TR
M27W201-120K6TR PDF预览

M27W201-120K6TR

更新时间： 2024-10-28 22:55:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 173K
描述
2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W201-120K6TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e3长度：13.97 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.56 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

M27W201-120K6TR 数据手册

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M27W201  
2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
■ 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME:  
32  
32  
– 70ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
– 80ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ PIN COMPATIBLE with M27C2001  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– 15µA max Standby Current  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
– 15mA max Active Current at 5MHz  
■ PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
■ HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
– 2,000V ESD Protection  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
– 200mA Latchup Protection Immunity  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 61h  
DESCRIPTION  
TSOP32 (NZ)  
8 x 14 mm  
The M27W201 is a low voltage 2 Mbit EPROM of-  
fered in the two range UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage and is organised as 262,144 by 8  
bits.  
The M27W201 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-  
perature range. The decrease in operating power  
allows either a reduction of the size of the battery  
or an increase in the time between battery re-  
charges.  
Figure 1. Logic Diagram  
V
V
PP  
CC  
18  
8
A0-A17  
Q0-Q7  
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)  
has a transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
P
E
M27W201  
G
For application where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27W201 is offered in PDIP32, PLCC32 and  
TSOP32 (8 x 20mm and 8 x 14mm) packages.  
V
SS  
AI01359  
October 2001  
1/16  
1234567...16

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与M27W201-120K6TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W201-120N6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 OTPROM, 100ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
M27W201-120N6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-120NZ6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-150B6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 OTPROM, 100ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M27W201-150B6TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-150F6TR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W201-150K1TR STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27W201-150K4TR STMICROELECTRONICS

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 		256KX8 OTPROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27W201-150K6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256KX8 OTPROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27W201-150K6TR STMICROELECTRONICS

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 		2 Mbit 256Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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