Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27V801-150P1TR

M27V801-150P1TR

更新时间： 2024-10-28 22:27:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27V801-150P1TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	长度：	41.91 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27V801-150P1TR 数据手册

M27V801

8 Mbit (1Mb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ LOW VOLTAGE READ OPERATION:

3V to 3.6V

■ FAST ACCESS TIME: 120ns

■ LOW POWER CONSUMPTION:

– Active Current 15mA at 5MHz

– Standby Current 20µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V

FDIP32W (F)

PDIP32 (B)

■ PROGRAMMING TIME: 100µs/byte (typical)

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code: 42h

DESCRIPTION

The M27V801 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-

fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large data or

program storage and is organized as 1,048,576 by

8 bits.

PLCC32 (K)

TSOP32 (N)

8 x 20 mm

Figure 1. Logic Diagram

The M27V801 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 3V. The decrease in op-

erating power allows either a reduction of the size

of the battery or an increase in the time between

battery recharges.

The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)

has transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

A0-A19

Q0-Q7

M27V801

Table 1. Signal Names

A0-A19

Q0-Q7

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

AI01902

Output Enable / Program Supply

Supply Voltage

Ground

May 1998

1/16

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27V801-150P6	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 150ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
M27V801-150P6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V801-180B6	STMICROELECTRONICS	获取价格	IC,EPROM,1MX8,CMOS,DIP,32PIN,PLASTIC
M27V801-180F1	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 UVPROM, 180ns, CDIP32, FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32
M27V801-180F1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V801-180F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V801-180K1TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V801-180K6	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 180ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
M27V801-180K6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27V801-180N1	STMICROELECTRONICS	获取价格	1MX8 OTPROM, 180ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32

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