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M27V801-200P6 PDF预览

M27V801-200P6

更新时间： 2024-10-29 18:24:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 109K
描述
1MX8 OTPROM, 200ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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M27V801-200P6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：200 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T32
JESD-609代码：e0长度：41.91 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M27V801-200P6 数据手册

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M27V801  
8 Mbit (1Mb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
NOT FOR NEW DESIGN  
■ M27V801 is replaced by the M27W801  
■ 3V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ  
OPERATION  
■ ACCESS TIME: 120ns  
32  
32  
■ LOW POWER CONSUMPTION:  
– Active Current 15mA at 5MHz  
1
1
– Standby Current 20µA  
FDIP32W (F)  
PDIP32 (B)  
■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.75V ± 0.25V  
■ PROGRAMMING TIME: 100µs/word  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 42h  
PLCC32 (K)  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
DESCRIPTION  
The M27V801 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-  
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and  
OTP (one time programmable). It is ideally suited  
for microprocessor systems requiring large data or  
program storage and is organized as 1,048,576 by  
8 bits.  
Figure 1. Logic Diagram  
The M27V801 operates in the read mode with a  
supply voltage as low as 3V. The decrease in op-  
erating power allows either a reduction of the size  
of the battery or an increase in the time between  
battery recharges.  
V
CC  
The FDIP32W (window ceramic frit-seal package)  
has transparent lid which allows the user to ex-  
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-  
tern. A new pattern can then be written to the  
device by following the programming procedure.  
20  
8
A0-A19  
E
Q0-Q7  
M27V801  
For applications where the content is programmed  
only one time and erasure is not required, the  
M27V801 is offered in PDIP32, PLCC32 and  
TSOP32 (8 x 20 mm) packages.  
GV  
PP  
V
SS  
AI01902  
July 2000  
1/16  
This is information on a product still in production but not recommended for new designs.  
1234567...16

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与M27V801-200P6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27V801-200P6TR STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 1Mb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W016 STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16 3V Supply FlexibleROMTM Memory
M27W016100B1 STMICROELECTRONICS

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 		1MX16 OTPROM, 100ns, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
M27W016-100B1T STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16 3V Supply FlexibleROMTM Memory
M27W016100M1 STMICROELECTRONICS

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 		1MX16 OTPROM, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
M27W016100M1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1MX16 OTPROM, 100ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
M27W016-100M1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		16 Mbit 1Mb x16 3V Supply FlexibleROMTM Memory
M27W016100N1T STMICROELECTRONICS

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 		1MX16 OTPROM, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M27W016-100N1T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		16 Mbit 1Mb x16 3V Supply FlexibleROMTM Memory
M27W016100S1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1MX16 OTPROM, 100ns, PDIP42, 0.600 INCH, SHRINK, PLASTIC, DIP-42

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