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LLSD101 PDF预览

LLSD101

更新时间： 2024-09-14 22:31:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 144K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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LLSD101 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MELF
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.82
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.39 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.015 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.4 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向恢复时间：0.001 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

LLSD101 数据手册

 浏览型号LLSD101的Datasheet PDF文件第2页 
LLSD101A - 101C  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
·
Low Forward Voltage Drop  
C
·
Guard Ring Construction for Transient  
Protection  
B
·
·
Fast Reverse Recovery Time  
Low Reverse Capacitance  
A
Mechanical Data  
MiniMELF  
·
Case: MiniMELF, Glass  
·
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Dim  
A
Min  
3.30  
1.30  
0.28  
Max  
3.70  
1.60  
0.50  
Method 208  
·
·
·
Marking: Cathode Band Only  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.05 grams (approx.)  
B
C
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
LLSD101A  
LLSD101B  
LLSD101C  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
V
60  
42  
50  
40  
28  
VR(RMS)  
IFM  
IFSM  
Pd  
V
RMS Reverse Voltage  
35  
15  
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
mA  
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 1.0s  
@ t = 10ms  
50  
2.0  
Power Dissipation (Note 1)  
400  
mW  
°C/W  
°C  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
375  
Tj  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 1.0mA  
Forward Voltage Drop (Note 2)  
LLSD101A  
LLSD101B  
LLSD101C  
LLSD101A  
LLSD101B  
LLSD101C  
0.41  
0.40  
0.39  
1.00  
0.95  
0.90  
IF = 1.0mA  
IF = 1.0mA  
IF = 15mA  
IF = 15mA  
IF = 15mA  
VF  
¾
V
Reverse Current (Note 2)  
Total Capacitance  
LLSD101A  
LLSD101B  
LLSD101C  
VR = 50V  
VR = 40V  
VR = 30V  
IR  
¾
200  
nA  
LLSD101A  
LLSD101B  
LLSD101C  
2.0  
2.1  
2.2  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
CT  
trr  
¾
pF  
ns  
IF = IR = 5.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
¾
1.0  
Note:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30067 Rev. 2 - 2  
1 of 2  
LLSD101A - 101C  
12

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