LLSD101C-TP

更新时间： 2024-11-25 13:09:19

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美微科 - MCC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	361K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.015A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2

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LLSD101C-TP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MELF	包装说明：	ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.63	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.015 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.001 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

LLSD101C-TP 数据手册

LLSD101A

THRU

LLSD101C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Low Reverse Recovery Time

Low Reverse Capacitance

Low Forward Voltage Drop

Schottky Barrier

Switching Diode

Guard Ring Construction for Transient Protection

Mechanical Data

l Case: MiniMELF, Glass

MINIMELF

l Terminals: Solderable per MIL -STD-202, Method 208

l Polarity: Indicated by Cathode Band

l Weight: 0.05 grams ( approx.)

Cathode Mark

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Characteristic

Symbol LLSD101A LLSD101B LLSD101C

VRRM

VRWM

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

60V

42V

50V

40V

28V

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I_FM

35V

Forward Continuous Current(Note 1)

15mA

Non-Repetitive Peak @ t<=1.0s

Forward Surge Current @ t=10us

50mA

2.0A

I^FSM

DIMENSION

Power Dissipation(Note 1)

Thermal Resistance(Note 1)

400mW

375K/W

-55 to 150^oC

DIM

INCHES

MIN

NOTE

MAX

.142

.016

.059

MIN

3.40

.20

MAX

3.60

.40

.134

.008

.055

Operation & Storage Temp. Range Tj, T^STG

Electrical Characteristics @ 25^oC Unless Otherwise Specified

1.40

1.50

Charateristic

Symbol Min

Max Unit

Test Cond.

V_R=50V

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

Peak

LLSD101A

Reverse LLSD101B

I_RM

200

nA V_R=40V

V_R=30V

-----

0.105

Current

LLSD101C

LLSD101A

LLSD101B

LLSD101C

0.41

0.40

0.39

1.00

0.95

0.90

2.0

I_F=1.0mA

Forward

V_FM

I_F=1.0mA

I_F=15mA

-----

0.075”

Volt. Drop LLSD101A

LLSD101B

LLSD101C

Junction

LLSD101A

Capacitance LLSD101B

LLSD101C

0.030”

2.1

pF V_R=0V, f=1.0MHz

I_F=I_R=5mA,

-----

2.2

t_rr

Reverse Recovery Time

1.0

-----

recover to 0.1 I _R

Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

www.mccsemi.com

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LLSD103A	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
LLSD103A	MCC	获取价格	Schottky Barrier Switching Diode
LLSD103A_08	MCC	获取价格	Schottky Barrier Switching Diode
LLSD103A_09	PANJIT	获取价格	SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIES SWITCHING DIODES
LLSD103A_14	PANJIT	获取价格	SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIES SWITCHING DIODES
LLSD103A-103C	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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