是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | PLASTIC, SO-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.008 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA |
标称共模抑制比: | 100 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.004 µA | 最大输入失调电压: | 13000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 标称压摆率: | 13 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
技术: | JFET | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 4000 kHz |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LF353DRE4 | TI |
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JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF353DRG4 | TI |
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JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF353DT | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF353DT | STMICROELECTRONICS |
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JFET输入、低输入偏置和偏移电流(15nV/sqrtHz & 0.01%) | |
LF353D-TR | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF353H | RENESAS |
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IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,CAN,8PIN,METAL | |
LF353H | NSC |
获取价格 |
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF353H/A+ | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF353J | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC | |
LF353J-8 | RENESAS |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC |