5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0002 µA |
| 最小共模抑制比： | 70 dB | 标称共模抑制比： | 100 dB |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电流 (IIO)： | 0.004 µA |
| 最大输入失调电压： | 13000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 4.9 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 湿度敏感等级： | 1 | 负供电电压上限： | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 包装方法： | TAPE AND REEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 最小摆率： | 8 V/us |
| 标称压摆率： | 13 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 6.5 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 标称均一增益带宽： | 4000 kHz |
| 最小电压增益： | 15000 | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF353N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual Operational Amplifier (JFET) |
|
| LF353N | ONSEMI |
获取价格 |
FAMILY OF JFET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LF353N | NSC |
获取价格 |
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF353N | MOTOROLA |
获取价格 |
FAMILY OF JFET OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| LF353N | TI |
获取价格 |
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF353N | RENESAS |
获取价格 |
LF353N |
|
| LF353-N | TI |
获取价格 |
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF353N/A+ | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier |
|
| LF353N/B+ | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier |
|
| LF353N/NOPB | NSC |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, DIP-8, Opera |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
