LF353H

更新时间： 2024-11-03 22:47:11

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		运算放大器放大器电路
页数	文件大小	规格书
14页	595K
描述
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LF353H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BCY	包装说明：	METAL CAN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
标称共模抑制比：	100 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.004 µA	最大输入失调电压：	13000 µV
JESD-30 代码：	O-MBCY-W8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	METAL
封装等效代码：	CAN8,.2	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
最小摆率：	8 V/us	标称压摆率：	13 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	6.5 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称均一增益带宽：	4000 kHz
最小电压增益：	15000	Base Number Matches：	1

LF353H 数据手册

December 2003

LF353

Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

General Description

Features

n Internally trimmed offset voltage:

n Low input bias current:

n Low input noise voltage:

n Low input noise current:

n Wide gain bandwidth:

n High slew rate:

10 mV

50pA

These devices are low cost, high speed, dual JFET input

operational amplifiers with an internally trimmed input offset

™

voltage (BI-FET II technology). They require low supply

√

25 nV/ Hz

current yet maintain a large gain bandwidth product and fast

slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input

devices provide very low input bias and offset currents. The

LF353 is pin compatible with the standard LM1558 allowing

designers to immediately upgrade the overall performance of

existing LM1558 and LM358 designs.

√

0.01 pA/ Hz

4 MHz

13 V/µs

3.6 mA

10¹²

Ω

≤0.02%

50 Hz

2 µs

n Low supply current:

n High input impedance:

n Low total harmonic distortion :

n Low 1/f noise corner:

n Fast settling time to 0.01%:

These amplifiers may be used in applications such as high

speed integrators, fast D/A converters, sample and hold

circuits and many other circuits requiring low input offset

voltage, low input bias current, high input impedance, high

slew rate and wide bandwidth. The devices also exhibit low

noise and offset voltage drift.

Typical Connection

Connection Diagram

Dual-In-Line Package

00564917

00564914

Top View

Order Number LF353M, LF353MX or LF353N

See NS Package Number M08A or N08E

Simplified Schematic

1/2 Dual

00564916

™

BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.

DS005649

www.national.com

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与LF353H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF353H/A+	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF353J	RENESAS	获取价格	IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC
LF353J-8	RENESAS	获取价格	IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,CERAMIC
LF353JG	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF353M	FAIRCHILD	获取价格	Dual Operational Amplifier (JFET)
LF353M	NSC	获取价格	Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
LF353M	TI	获取价格	LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
LF353M/NOPB	TI	获取价格	2-Channel wide bandwidth JFET input operational amplifier 8-SOIC 0 to 70
LF353MDC	TI	获取价格	DUAL OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, UUC, DIE
LF353MDC	NSC	获取价格	IC DUAL OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier

与LF353H相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF353H

LF353H 技术参数

LF353H 数据手册

与LF353H相关器件

与LF353H相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF353H

LF353H 技术参数

LF353H 数据手册

与LF353H相关器件

与LF353H相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？