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LF353M

更新时间: 2024-11-23 12:21:35
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德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 633K
描述
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

LF353M 技术参数

生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:7.53Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:155083
Samacsys Pin Count:8Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name:D (R-PDSO-G8)
Samacsys Released Date:2015-04-16 09:48:08Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA
最小共模抑制比:70 dB标称共模抑制比:100 dB
频率补偿:YES最大输入失调电流 (IIO):0.004 µA
最大输入失调电压:10000 µVJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0长度:4.9 mm
低-偏置:YES低-失调:NO
微功率:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-18 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):235功率:NO
电源:+-15 V可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
最小摆率:8 V/us标称压摆率:13 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:3.25 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES技术:BIFET
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:4000 kHz最小电压增益:15000
宽带:NO宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

LF353M 数据手册

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LF353  
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSBH3D  

LF353M 替代型号

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