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LF353M/NOPB

更新时间: 2024-11-09 13:09:19
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德州仪器 - TI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
16页 633K
描述
2-Channel wide bandwidth JFET input operational amplifier 8-SOIC 0 to 70

LF353M/NOPB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.97放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA最小共模抑制比:70 dB
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.004 µA最大输入失调电压:10000 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm低-偏置:YES
低-失调:NO微功率:NO
湿度敏感等级:1负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TUBE峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO电源:+-15 V
可编程功率:NO认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm最小摆率:8 V/us
标称压摆率:13 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:3.25 mA供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V表面贴装:YES
技术:BIFET温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称均一增益带宽:4000 kHz
最小电压增益:15000宽带:NO
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

LF353M/NOPB 数据手册

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LF353  
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSBH3D  

LF353M/NOPB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

2-Channel wide bandwidth JFET input operational amplifier 8-SOIC 0 to 70
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