LF353N

更新时间： 2024-11-22 22:47:11

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美国国家半导体 - NSC		运算放大器放大器电路光电二极管 PC
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描述
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

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LF353N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
标称共模抑制比：	100 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.004 µA	最大输入失调电压：	13000 µV
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e0
长度：	9.8171 mm	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	湿度敏感等级：	1
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最小摆率：	8 V/us
标称压摆率：	13 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	6.5 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	标称均一增益带宽：	4000 kHz
最小电压增益：	15000	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

LF353N 数据手册

December 2003

LF353

Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

General Description

Features

n Internally trimmed offset voltage:

n Low input bias current:

n Low input noise voltage:

n Low input noise current:

n Wide gain bandwidth:

n High slew rate:

10 mV

50pA

These devices are low cost, high speed, dual JFET input

operational amplifiers with an internally trimmed input offset

™

voltage (BI-FET II technology). They require low supply

√

25 nV/ Hz

current yet maintain a large gain bandwidth product and fast

slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input

devices provide very low input bias and offset currents. The

LF353 is pin compatible with the standard LM1558 allowing

designers to immediately upgrade the overall performance of

existing LM1558 and LM358 designs.

√

0.01 pA/ Hz

4 MHz

13 V/µs

3.6 mA

10¹²

Ω

≤0.02%

50 Hz

2 µs

n Low supply current:

n High input impedance:

n Low total harmonic distortion :

n Low 1/f noise corner:

n Fast settling time to 0.01%:

These amplifiers may be used in applications such as high

speed integrators, fast D/A converters, sample and hold

circuits and many other circuits requiring low input offset

voltage, low input bias current, high input impedance, high

slew rate and wide bandwidth. The devices also exhibit low

noise and offset voltage drift.

Typical Connection

Connection Diagram

Dual-In-Line Package

00564917

00564914

Top View

Order Number LF353M, LF353MX or LF353N

See NS Package Number M08A or N08E

Simplified Schematic

1/2 Dual

00564916

™

BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.

DS005649

www.national.com

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF353-N	TI	获取价格	Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
LF353N/A+	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF353N/B+	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF353N/NOPB	NSC	获取价格	IC DUAL OP-AMP, 13000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, ROHS COMPLIANT, DIP-8, Opera
LF353N/NOPB	TI	获取价格	Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
LF353ND	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier
LF353NS	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
LF353P	TI	获取价格	JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
LF353PE4	TI	获取价格	JFET-INPUT DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
LF353S	ETC	获取价格	Voltage-Feedback Operational Amplifier

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