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LDTA143XET3G

更新时间： 2024-10-29 01:12:35
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 288K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTA143XET3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：30元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICON

LDTA143XET3G 数据手册

 浏览型号LDTA143XET3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTA143XET3G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTA143XET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
R1  
R2  
COLLECTOR  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
EMITTER  
V
CC  
−50  
−20 to +7  
−100  
Supply voltage  
Input voltage  
V
V
V
I
I
O
Output current  
mA  
I
C(Max.)  
−100  
mW  
°C  
Power dissipation  
Pd  
200  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
P10  
4.7  
10  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTA143XET1G  
LDTA143XET3G  
P10  
4.7  
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
V
Conditions  
V
I(off)  
I(on)  
−
−2.5  
−
−0.3  
−
V
CC=−5V, I  
=−0.3V, I  
/I =−10mA/−0.5mA  
=−5V  
CC=−50V, V  
O
=−100µA  
Input voltage  
V
−
V
O
O
=−20mA  
Output voltage  
Input current  
V
O(on)  
−0.1  
−
−0.3  
−1.8  
−0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
I
I
−
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O(off)  
−
−
I
=0V  
G
I
30  
3.29  
1.7  
−
−
O
=−5V, I  
O
=−10mA  
R
1
4.7  
2.1  
250  
6.11  
2.6  
−
kΩ  
−
−
−
R
2/R1  
Transition frequency  
f
T
∗
MHz  
V
CE=−10V, I =5mA, f=100MHz  
E
Characteristics of built-in transistor  
∗
1/3  
123

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