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LDTA144TET3G

更新时间： 2024-10-29 01:12:35
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 285K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTA144TET3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：100元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTA144TET3G 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTA144TET1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
3
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
SC-89  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
3
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
R1  
COLLECTOR  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
EMITTER  
Collector-base voltage  
−50  
−50  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
−5  
−100  
200  
I
C
mA  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Pc  
Tj  
mW  
°C  
150  
−55 to +150  
Tstg  
°C  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
O7  
47  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTA144TET1G  
LDTA144TET3G  
O7  
47  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−50  
−50  
−5  
−
I
I
I
C
C
=
−50µA  
−
−
V
=−1mA  
−
−
V
E
=−50µA  
ICBO  
EBO  
−
−0.5  
−0.5  
−0.3  
600  
61.1  
−
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
−50V  
Emitter cutoff current  
I
−
−
EB  
=−4V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
−
−
I
C
/I  
B
=−5mA/−0.5mA  
h
FE  
100  
32.9  
−
250  
47  
250  
−
V
CE  
=
−5V, I  
C=−1mA  
R
1
kΩ  
MHz  
−
Input resistance  
f
T
∗
V
CE  
=
−10V, IE=5mA, f=100MHz  
Transition frequency  
∗ Characteristics of built-in transistor  
1/3  
123

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