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LDTB114GLT1G

更新时间： 2024-10-29 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 311K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTB114GLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：56元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICON

LDTB114GLT1G 数据手册

 浏览型号LDTB114GLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTB114GLT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTB114GLT1G  
S-LDTB114GLT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
3
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
COLLECTOR  
1
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
BASE  
R2  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−50  
Unit  
V
EMITTER  
V
CBO  
V
CEO  
VEBO  
−50  
V
−5  
V
Collector current  
I
C
−500  
200  
mA  
mW  
C
∗
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Pd  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
C
∗ Each pin mounted on the recommended land  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTB114GLT1G  
S-LDTB114GLT1G  
K7  
10  
LDTB114GLT3G  
S-LDTB114GLT3G  
K7  
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−50  
−50  
−5  
−
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
−
−
V
C
−
−
V
E
= −720µA  
CB= −50V  
EB= −4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−0.5  
−580  
−0.3  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff curren  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Input resistance  
V
−
−
I
I
C
/I = −50mA/−2.5mA  
B
h
56  
7
−
−
C
= −50mA , VCE= −5V  
R2  
10  
200  
13  
−
kΩ  
MHz  
−
Transition frequency  
fT  
−
V
CE= −10V , I =50mA , f=100MHz  
E
∗
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

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