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LDTB113ZLT3G

更新时间： 2024-10-29 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 282K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTB113ZLT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：56元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICON

LDTB113ZLT3G 数据手册

 浏览型号LDTB113ZLT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTB113ZLT3G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTB113ZLT1G  
S-LDTB113ZLT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
R1  
R2  
COLLECTOR  
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
1
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Symbol  
Unit  
Limits  
EMITTER  
Supply voltage  
V
CC  
IN  
V
V
−50  
−10 to +5  
−500  
Input voltage  
V
Output current  
I
C
mA  
mW  
C
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PD  
200  
Tj  
Tstg  
150  
C
−55 to +150  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
LDTB113ZLT1G  
S-LDTB113ZLT1G  
K8  
1
10  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTB113ZLT3G  
S-LDTB113ZLT3G  
K8  
1
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ. Max. Unit  
Conditions  
CC=−5V, I =−100µA  
=−0.3V, I =−20mA  
/I =−50mA/−2.5mA  
= −5V  
CC=−50V, V  
V
I(off)  
−
−3  
−
−
−
−0.3  
−
V
V
O
Input voltage  
V
V
I(on)  
O
O
Output voltage  
Input current  
VO(on)  
−
−0.3  
−7.2  
−0.5  
−
V
mA  
µA  
−
I
O I  
I
I
−
−
V
V
V
I
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
I
O(off)  
−
−
I=0V  
G
I
56  
0.7  
8
−
O
=− 5V, I  
O
=−50mA  
R1  
1
1.3  
12  
kΩ  
−
−
−
R
2
/R  
1
10  
200  
Transition frequency  
f
T
−
−
MHz  
V
CE=−10V  
,
E
I =50mA  
,
f=100MHz  
Transition frequency of the device  
Rev.O 1/3  
123

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