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LDTB114TLT1G

更新时间： 2024-10-29 01:12:39
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 317K
描述
Bias Resistor Transistor

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LDTB114TLT1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.5 A
最小直流电流增益 (hFE)：100元件数量：1
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

LDTB114TLT1G 数据手册

 浏览型号LDTB114TLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LDTB114TLT1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Bias Resistor Transistor  
PNP Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
LDTB114TLT1G  
S-LDTB114TLT1G  
Applications  
•
Inverter, Interface, Driver  
• Features  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an  
inverter circuit without connecting external input  
resistors (see equivalent circuit).  
3
1
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with  
complete isolation to allow positive biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
2
SOT-23  
3) Only the on / off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
•
•
We declare that the material of product compliance with  
RoHS requirements.  
S - Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site  
3
COLLECTOR  
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.  
1
R1  
BASE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
2
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
−50  
Unit  
V
EMITTER  
V
CBO  
VCEO  
VEBO  
−40  
V
−5  
V
IC  
−500  
200  
mA  
mW  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
C
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
3000/Tape & Reel  
10000/Tape & Reel  
LDTB114TLT1G  
S-LDTB114TLT1G  
K3  
10  
LDTB114TLT3G  
S-LDTB114TLT3G  
K3  
10  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−50  
−40  
−5  
−
I
I
I
C
= −50µA  
= −1mA  
−
−
V
C
−
−
V
E
= −50µA  
CB= −50V  
EB= −4V  
I
CBO  
−
−0.5  
−0.5  
−0.3  
600  
13  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff curren  
I
EBO  
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
Input resistance  
V
CE(sat)  
FE  
−
−
I
I
C
B
/I = −50mA/−2.5mA  
h
100  
7
250  
10  
200  
−
C
= −50mA , VCE= −5V  
R
1
kΩ  
MHz  
−
Transition frequency  
f
T
−
−
V
CE= −10V , I =50mA , f=100MHz  
E
∗
Characteristics of built-in transistor  
∗
Rev.O 1/3  
123

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