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KTC4512

更新时间： 2024-01-16 13:37:13

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KEC		晶体放大器晶体管功率放大器局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH POWER AMPLIFIER)

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KTC4512 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	55	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

KTC4512 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC4512

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.

FEATURES

ᴌRecommended for 30Wᴕ35W Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

ᴌComplementary to KTA1726.

DIM MILLIMETERS

10.30 MAX

15.30 MAX

0.80

Φ3.60+0.20

3.00

6.70 MAX

13.60+0.50

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

5.60 MAX

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

RATING

UNIT

1.37 MAX

0.50

1.50 MAX

2.54

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

4.70 MAX

2.60

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

1.50 MAX

1.50

1. BASE

9.50+0.20

Collector Current

8.00+0.20

2. COLLECTOR (HEAT SINK)

3. EMITTER

2.90 MAX

I_B

Base Current

P_C

ᴱ

Collector Power Dissipation (Tc=25ᴱ)

Junction Temperature

T_j

150

TO-220AB

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=80V, I_E=0

Collector Cut-off Current

I_EBO

ỌA

V_EB=6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

I_C=25mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_CE=4V, I_C=2A

160

0.5

I_C=2A, I_B=0.2A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

MHz

V_CE=12V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

150

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification

R:55~110, O:80~160.

1999. 6. 24

Revision No : 0

1/3

12 3

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