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KTC2025L PDF预览

KTC2025L

更新时间： 2024-11-17 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体放大器晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 402K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMP, MEDIUM SPEED SWITCHING)

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KTC2025L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
Base Number Matches：1

KTC2025L 数据手册

 浏览型号KTC2025L的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTC2025D/L  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
LOW FREQUENCY POWER AMP,  
MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS  
A
C
I
J
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
A
B
C
D
E
F
High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A.  
Low saturation voltage and good linearity of hFE  
Complementary to KTA1045D/L  
.
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
J
_
2.00+0.20  
_
H
K
L
M
O
P
P
0.50+0.10  
F
L
F
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
1
2
3
Q
0.95 MAX  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
120  
DPAK  
120  
V
5
V
A
C
I
1
J
Collector Current  
A
ICP  
2
1.0  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
PC  
W
_
+
5.0 0.2  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
8
P
H
G
_
+
_
+
_
+
G
H
I
Tj  
Junction Temperature  
150  
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
F
F
L
K
L
P
_
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut of Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
VCB=50V, IE=0  
-
-
-
1
A
A
V
V
V
IEBO  
VEB=4V, IC=0  
Emitter Cut of Current  
-
1
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE(1) Note  
hFE(2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IC=10 A, IE=0  
120  
120  
5
-
-
-
-
IC=1mA, IB=0  
IE=10 A, IC=0  
-
-
VCE=5V, IC=50mA  
VCE=5V, IC=500mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=500mA, IB=50mA  
100  
20  
-
-
320  
-
DC Current Gain  
-
fT  
Gain Bandwidth Product  
130  
20  
0.15  
0.85  
-
MHz  
pF  
V
Cob  
Output Capacitance  
-
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
-
0.4  
1.2  
-
V
I
B1  
I
ton  
toff  
tstg  
B2  
Turn-on Time  
-
100  
500  
700  
-
-
-
1
1Ω  
24Ω  
100Ω  
20u sec  
Turn-off Time  
Storage Time  
-
-
Switching Time  
nS  
1uF  
1uF  
-2V  
=12V  
=10I =-10I =500mA  
12V  
V
CE  
I
C
B1 B2  
(Note) : hFE(1) Classification Y:100 200, GR:160 320  
2003. 3. 27  
Revision No : 3  
1/2  
12

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