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KTC2026-Y PDF预览

KTC2026-Y

更新时间： 2024-11-22 01:14:15
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科信 - KEXIN 局域网晶体管
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2页 1027K
描述
NPN Transistors

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KTC2026-Y 数据手册

 浏览型号KTC2026-Y的Datasheet PDF文件第2页 
DIP Type  
Transistors  
NPN Transistors  
KTC2026  
Unit: mm  
TO-220F  
±0.20  
±0.20  
20  
.
±0.20  
2.54  
8±0  
■ Features  
1
±0.20  
0.70  
φ3.  
● Low saturation voltage  
● Complementary to KTA1046  
±0.20  
2.76  
1.47max  
±0.20  
0.50  
±0.20  
0.80  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
2.54typ  
2.54typ  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Rating  
60  
60  
7
Unit  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
Collector Current - Continuous  
Base Current  
I
C
3
A
I
B
0.5  
2
Collector Power Dissipation  
Ta= 25℃  
Tc= 25℃  
P
C
W
℃
25  
150  
Junction Temperature  
TJ  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
60  
60  
7
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic= 100uA， I  
Ic= 50 mA，I  
= 100uA， I  
CB= 60 V , I  
EB= 7V , I =0  
E
= 0  
=0  
= 0  
= 0  
B
I
E
C
I
CBO  
EBO  
V
V
E
0.1  
0.1  
1
uA  
V
I
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
Base - emitter voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=2 A, I  
B
=200mA  
=200mA  
V
C
=2 A, I  
B
1.2  
1
V
BE  
FE  
on  
V
V
CE= 5V, I  
CE= 5V, I  
C
=500mA  
=500mA  
DC current gain  
h
C
100  
300  
Turn On Time  
Storage Time  
Fall Time  
t
0.65  
1.3  
us  
t
stg  
t
f
0.65  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
V
V
CB= 10V, I  
E
= 0,f=1MHz  
35  
30  
pF  
f
CE= 5V, I = 500mA  
C
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
KTC2026-Y  
KTC2026-G  
150-300  
Range  
100-200  
1
www.kexin.com.cn  
12

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