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KTC2027

更新时间： 2024-05-23 22:23:17
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KEC /
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TO-220IS

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KTC2027 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTC2027  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
A
C
DIM MILLIMETERS  
S
_
10.0+0.3  
A
_
15.0+0.3  
B
C
E
FEATURES  
_
2.70 0.3  
+
D
E
F
0.76+0.09/-0.05  
_
Good Linearity of hFE.  
· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.  
ex) KTC2027-Y-U/PU  
Φ3.2 0.2  
+
_
3.0+0.3  
_
12.0 0.3  
+
G
H
0.5+0.1/-0.05  
_
13.6 0.5  
+
J
K
L
L
R
_
3.7 0.2  
+
L
1.2+0.25/-0.1  
1.5+0.25/-0.1  
M
M
N
P
D
D
_
2.54+0.1  
_
6.8 0.1  
+
_
+
4.5 0.2  
Q
R
_
2.6+0.2  
N
N
H
S
0.5 Typ  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
)
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
3
2
1
80  
80  
V
5
4
V
TO-220IS  
A
IB  
Base Current  
0.4  
A
PC  
25  
W
Collector Power Dissipation (Tc=25  
Junction Temperature  
)
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=80V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
-
-
-
-
30  
100  
-
A
A
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE(1) (Note)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
IC=50mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
80  
5
-
V
IC=10mA, IB=0  
-
-
V
VCE=5V, IC=0.5A  
VCE=5V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.3A  
VCE=5V, IC=3A  
VCE=5V, IC=0.5A  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
70  
15  
-
-
240  
-
DC Current Gain  
50  
0.45  
1.0  
30  
40  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
1.5  
1.5  
-
V
V
-
fT  
Transition Frequency  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE(1) Classification O:70 140, Y:120 240  
2018. 04. 10  
Revision No : 2  
1/2  
12

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