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KTC2235

更新时间: 2024-11-17 21:54:27
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KEC 晶体晶体管PC局域网
页数 文件大小 规格书
1页 44K
描述
SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)

KTC2235 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.8 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):80最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.9 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

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