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KTC2815L PDF预览

KTC2815L

更新时间： 2024-09-24 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 408K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING)

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KTC2815L 技术参数

生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KTC2815L 数据手册

 浏览型号KTC2815L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTC2815L的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
KTC2815D/L  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
POWER AMPLIFIER APPLICATION.  
POWER SWITCHING APPLICATION.  
A
C
I
J
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
A
B
C
D
E
F
Low Collector Saturation Voltage  
: VCE(sat)=0.5V(Max.) (IC=1A)  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
High Speed Switching Time : tstg=1 S(Typ.)  
Complementary to KTA1718D/L.  
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
_
2.00+0.20  
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
J
H
K
L
M
O
P
P
F
L
F
1
2
3
Q
0.95 MAX  
1. BASE  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
DPAK  
50  
V
5
V
2
-2  
A
A
C
I
J
IE  
Emitter Current  
A
1.0  
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
DIM MILLIMETERS  
PC  
W
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
10  
_
+
5.0 0.2  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
P
H
G
Tj  
Junction Temperature  
150  
_
+
_
+
_
+
G
H
I
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
F
F
L
K
L
P
_
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=50V, IE=0  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
-
-
-
0.1  
0.1  
-
A
A
IEBO  
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
V(BR)CEO  
hFE(1) (Note)  
IC=10mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
50  
70  
40  
-
-
-
V
VCE=2V, IC=0.5A  
VCE=2V, IC=1.5A  
IC=1A, IB=0.05A  
IC=1A, IB=0.05A  
VCE=2V, IC=0.5A  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
240  
-
DC Current Gain  
hFE  
2
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-
0.5  
1.2  
-
V
V
-
-
-
100  
30  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
OUTPUT  
ton  
tstg  
tf  
Turn On Time  
20µsec  
-
-
-
0.1  
1.0  
0.1  
-
-
-
I
B1  
B2  
INPUT  
B2  
Switching  
Storage Time  
Time  
I
B1  
I
S
I
I
=-I =-0.05A  
B2  
B1  
Fall Time  
V
CC  
=30V  
<
DUTY CYCLE 1%  
=
Note : hFE(1) Classification  
O:70~140, Y:120~240.  
2003. 3. 27  
Revision No : 3  
1/3  
123

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