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KTC2036

更新时间： 2024-11-19 17:15:15

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2页	46K
描述
TO-220IS

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KTC2036 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

KTC2036 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC2036

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

10.0+0.3

· Low Collector Saturation Voltage

15.0+0.3

2.70 0.3

: V_CE(sat)=1.0V(Max) at I_C=2A, I_B=0.2A

0.76+0.09/-0.05

· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.

ex) KTC2036-Y-RTK/HU

Φ3.2 0.2

3.0+0.3

12.0 0.3

0.5+0.1/-0.05

13.6 0.5

3.7 0.2

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

1.2+0.25/-0.1

1.5+0.25/-0.1

2.54+0.1

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_CER

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

6.8 0.1

4.5 0.2

Collector-Base Voltage

2.6+0.2

0.5 Typ

Collector-Emitter Voltage

100

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

0.5

I_B

Ta=25℃

Tc=25℃

Collector Power

Dissipation

TO-220IS

P_C

T_j

Junction Temperature

150

℃

T_stg

Storage Temperature Range

-55∼ 150

ELECTRICAL CHARA CTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=80V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

μA

Collector Cut-off Current

I_CER

V_CE=100V, R_BE=10㏀

V_EB=10V, I_C=0

I_EBO

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

I_C=50mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

h_{FE (1)}(Note) V_CE=5V, I_C=1mA

DC Current Gain

h_{FE (2)}

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=5V, I_C=0.5A

I_C=2A, I_B=0.2A

250

1.0

Collector Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.25

0.7

V_CE=5V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

f_T

Transition Frequency

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

OUTPUT

t_on

t_stg

t_f

Turn-on Time

0.085

1.02

20μsec

INPUT

15Ω

Storage Time

Fall Time

Switching Time

μS

=-I =0.2A

0.041

=30V

DUTY CYCLE 1%

* Note) : hFE Classification A : 80 ~ , – : 100 ~

2018. 04. 10

Revision No : 4

1/2

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