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KST3904D87Z

更新时间： 2024-09-25 18:42:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST3904D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.77
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

KST3904D87Z 数据手册

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KST3904  
3
General Purpose Transistor  
2
SOT-23  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
40  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
60  
40  
6
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I 1mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
V
=30V, V =3V  
50  
nA  
CEX  
CE  
EB  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
V
V
=1V, I =0.1mA  
40  
70  
100  
60  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=1V, I =1mA  
C
=1V, I =10mA  
300  
C
=1V, I =50mA  
C
=1V, I =100mA  
30  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =1mA  
0.2  
0.3  
V
V
CE  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
(sat)  
I =10mA, I =1mA  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
V
V
BE  
C
B
I =50mA, I =5mA  
C
B
C
Output Capacitance  
Current Gain-Bandwidth Product  
Noise Figure  
V
=5V, I =0, f=1MHz  
4
pF  
MHz  
dB  
ob  
CB  
CE  
E
f
V
=20V, I =10mA, f=100MHz  
C
T
NF  
I =100µA, V =5V, R =1KΩ  
5
C
CE  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
t
Turn On Time  
Turn Off Time  
V
=3V, V =0.5V  
70  
ns  
ns  
ON  
CC  
BE  
I =10mA, I =1mA  
C
B1  
V
=3V, I =10mA,  
250  
CC  
C
t
I
=I =1mA  
B1 B2  
OFF  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
1A  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST3904L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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