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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 250 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST3904TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| KST3904TR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| KST3906 | FAIRCHILD |
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General Purpose Transistor |
|
| KST3906_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| KST3906D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| KST3906MTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
|
| KST3906MTF | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
|
| KST3906MTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| KST3906TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| KST3906TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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