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Datasheet > KST24L99Z
KST24L99Z PDF预览

KST24L99Z

更新时间： 2024-11-13 20:11:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

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KST24L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.36 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：620 MHzBase Number Matches：1

KST24L99Z 数据手册

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KST24  
VHF Mixer Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
100  
350  
150  
357  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
°C/W  
TH  
• Refer to KSP24 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
30  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
V
=15V, I =0  
50  
nA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
V
=10V, I =8mA  
30  
FE  
C
f
* Current Gain Bandwidth Product  
=10V, I =8mA  
400  
620  
MHz  
pF  
T
C
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
V
=10V, I =0, f=1MHz  
0.25  
0.36  
ob  
CB  
E
G
Conversion Gain (213MHz to 45MHz)  
(60MHz to 45MHz)  
I =8mA, V =20V  
Oscillator Injection=150mV  
19  
24  
24  
29  
dB  
dB  
G
C
CC  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
3A  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST24MTF ROCHESTER

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 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
KST24S62Z FAIRCHILD

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