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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.36 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 620 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KST24S62Z | FAIRCHILD | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico |
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| KST24TF | SAMSUNG | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SO |
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| KST24TI | SAMSUNG | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SO |
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| KST24TR | SAMSUNG | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SO |
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| KST2907 | FAIRCHILD | General Purpose Transistor |
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| KST2907A | FAIRCHILD | General Purpose Transistor |
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