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KST2907S62Z

更新时间： 2024-09-25 19:42:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KST2907S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：75
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：100 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

KST2907S62Z 数据手册

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KST2907  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR  
SOT-23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Storage Temperature  
VCBO  
-60  
-40  
-5  
-600  
350  
150  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TSTG  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
IC= -10mA, IE=0  
IC= -10mA, IB=0  
IE= -10mA, IC=0  
VCE= -30V, VBE= -0.5V  
VCB= -50V, IE=0  
VCE= -10V, IC= -0.1mA  
VCE= -10V, IC= -1.0mA  
VCE= -10V, IC= -10mA  
*VCE= -10V, IC= -150mA  
*VCE= -10V, IC= -500mA  
IC= -150mA, IB= -15mA  
IC= -500mA, IB= -50mA  
IC= -150mA, IB= -15mA  
IC= -500mA, IB= -50mA  
IC= -50mA, VCE= -20V  
f=100MHz  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
ICBO  
hFE  
-60  
-40  
-5  
V
V
V
nA  
mA  
-50  
-0.02  
35  
50  
75  
100  
30  
300  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
V
V
MHz  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
-0.4  
-1.6  
-1.3  
-2.6  
200  
fT  
VCB= -10V, IE=0  
f=1.0MHz  
VCC= -30V, IC= -150mA  
IB1= -15mA  
VCC= -6V, IC= -150mA  
IB1=IB2=15mA  
pF  
ns  
ns  
8.0  
45  
CCB  
TON  
TOFF  
Turn On Time  
Turn Off Time  
100  
* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã 1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST2907TF SAMSUNG

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