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KSP42 PDF预览

KSP42

更新时间： 2024-09-17 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管高压放大器
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
High Voltage Transistor

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KSP42 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSP42 数据手册

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KSP42/43  
High Voltage Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
=KSP42: 300V  
KSP43: 200V  
CEO  
•
Collector Power Dissipation: P (max)=625mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
CEO  
EBO  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
500  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
BV  
BV  
* Collector -Emitter Breakdown Voltage  
I =1mA, I =0  
C B  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
6
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KSP42  
CBO  
V
V
=200V, I =0  
=160V, I =0  
E
100  
100  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
: KSP43  
I
Emitter Cut-off Current  
: KSP42  
EBO  
V
V
=6V, I =0  
=4V, I =0  
C
100  
100  
nA  
nA  
BE  
BE  
C
: KSP43  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
=10V, I =1mA  
25  
40  
40  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I =20mA, I =2mA  
0.5  
0.9  
V
V
CE  
BE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
C
Output Capacitance  
: KSP42  
V
=20V, I =0  
CB E  
ob  
f=1MHz  
3
4
pF  
pF  
: KSP43  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=20V, I =10mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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KSP42 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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