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KSH122-I PDF预览

KSH122-I

更新时间： 2024-11-01 21:53:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 58K
描述
D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH122-I 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.23
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.015
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSH122-I 数据手册

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KSH122  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Built-in a Damper Diode at E-C  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP122  
Complement to KSH127  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Equivalent Circuit  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
5
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
B
V
I
I
I
8
A
C
16  
A
CP  
B
120  
20  
mA  
W
W
°C  
°C  
R1  
R2  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
E
R1 8 k Ω  
R2 0.12 k Ω  
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
- 65 ~ 150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
100  
CEO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= 50V, I =0  
10  
10  
2
µA  
CE  
CB  
EB  
B
= 100V, I = 0  
µA  
E
= 5V, I = 0  
mA  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 4V, I = 4A  
1000  
100  
12K  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, V = 8A  
EB  
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 4A, I = 16mA  
2
4
V
V
CE  
C
C
B
= 8A, I = 80mA  
B
V
V
C
(sat)  
(on)  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
= 8A, I = 80mA  
4.5  
2.8  
V
V
BE  
BE  
ob  
C
B
V
V
= 4V, I = 4A  
C
CE  
= 10V, I = 0  
200  
pF  
CB  
E
f= 0.1MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, October 2002  
123456

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH127I FAIRCHILD

获取价格

 		8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3

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