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KSD471AOBU PDF预览

KSD471AOBU

更新时间： 2024-11-14 20:59:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSD471AOBU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.71最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：70JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

KSD471AOBU 数据手册

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KSD471A  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
•
•
•
Complement to KSB564A  
Collector Current : I =1A  
Collector Power Dissipation : P =800mW  
C
C
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
5
1
V
I
A
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
mW  
°C  
°C  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
30  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
V
=30V, I =0  
0.1  
400  
0.5  
1.2  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=1V, I =100mA  
70  
FE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain BandWidth Product  
Output Capacitance  
I =1A, I =0.1A  
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I =1A, I =0.1A  
C B  
BE  
f
V
=6V, I =10mA  
130  
16  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, January 2002  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD471AY FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
KSD471A-Y MCC

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 		NPN Silicon Transistors
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