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KSD471A-Y-AP PDF预览

KSD471A-Y-AP

更新时间： 2024-11-14 19:56:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 338K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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KSD471A-Y-AP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-92包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

KSD471A-Y-AP 数据手册

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KSD471A-O  
KSD471A-Y  
KSD471A-G  
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN Silicon  
Transistors  
ꢀꢁ Collector Dissipation : IC = 1A  
ꢀꢁ Collector Current : PC = 800mW  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
TO-92  
Maximum Ratings  
A
E
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
V
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
40  
V
B
5.0  
1
V
A
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
mW  
OC  
OC  
TJ  
150  
TSTG  
-55 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=30Vdc,IE=0)  
40  
30  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
---  
Vdc  
D
0.1  
uAdc  
E
E
B
B
C
ON CHARACTERISTICS  
C
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Forward Current Transfer ratio*  
70  
---  
---  
---  
---  
---  
400  
0.5  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
(IC=0.1Adc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=0.1Adc)  
Transition Frequency  
(VCE=6Vdc, IC=10mAdc)  
DIMENSIONS  
130  
16  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
Cob  
Collector Output Capacitance  
(VCB=6Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
---  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
CLASSIFICATION OF HFE  
E
Rank  
Range  
O
Y
G
Straight Lead  
Bent Lead  
G
70-140  
120-240  
200-400  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: D  
2013/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
KSD471A-Y-BP-HF MCC

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