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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSD5018
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KSD5018

更新时间： 2024-11-13 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体电阻器晶体管功率双极晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Built-in Resistor at B-E for Motor Drive

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KSD5018 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.42
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：275 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSD5018 数据手册

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KSD5018  
Built-in Resistor at B-E for Motor Drive  
•
High Voltage Power Darlington TR  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Sym-  
bol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector- Base Voltage  
Collector- Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
600  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
275  
10  
V
I
4
A
C
I
I
6
0.5  
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
275  
600  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
= 1.5A, I = 0.05A, L = 25mH  
CEO  
C
C
B
BV  
= 1mA, R = 330Ω  
V
CER  
CES  
EBO  
BE  
I
I
V
V
= 500V  
1
1
mA  
mA  
CE  
EB  
Emitter Cut-off Current  
= 10V, I = 0  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 2A, I = 5mA  
1.5  
1.5  
V
V
CE  
C
C
B
= 3A, I = 20mA  
B
V
(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
= 2A, I = 5mA  
2
V
BE  
C
B
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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