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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD5041G | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD5041-G | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO |
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| KSD5041GJ05Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD5041GJ18Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD5041J18Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD5041O | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD5041OD75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD5041OJ18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD5041QTA | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSD5041RBU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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