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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD5064 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5064 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5065 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5065 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5066 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5066 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5068 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5068 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5070 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5070 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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