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KSD5062

更新时间: 2024-01-31 21:44:21
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NJSEMI 局域网开关晶体管
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2页 63K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR

KSD5062 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
其他特性:HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):8JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):120 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

KSD5062 数据手册

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