KSD5070

更新时间： 2025-07-31 05:41:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	95K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSD5070 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

KSD5070 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSD5070

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·High Reliability

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for color TV horizontal output applicaitions

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

2.5

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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