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KSD526O

更新时间： 2024-02-16 15:29:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 182K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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KSD526O 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8 MHz
Base Number Matches：1

KSD526O 数据手册

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April 2006  
KSD526  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Power Amplifier Applications  
•
Complement to KSB596  
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
80  
80  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
5
V
I
4
A
C
IB  
P
Base Current  
0.4  
A
Collector Dissipation ( TC=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
30  
W
°C  
°C  
C
TJ  
150  
-55~150  
TSTG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
ICBO  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
MIN  
MAX MAX Units  
VCB = 80V, IE = 0  
30  
μA  
μA  
V
IEBO  
VEB = 5V, IC = 0  
IC = 50mA, IB = 0  
IE = 10mA, IC = 0  
100  
BVCEO  
BVEBO  
hFE  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
80  
5
V
VCE = 5V, IC = 0.5A  
VCE = 5V, IC = 3A  
40  
15  
240  
50  
0.45  
1
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
IC = 3A, IB = 0.3A  
1.5  
1.5  
V
V
VCE = 5V, IC = 3A  
Current Gain - Bandwidth Product  
Collector Output Capacitance  
VCE = 5V, IC = 0.5A  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
3
8
MHz  
pF  
Ccb  
90  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
hFE  
40∼80  
70∼140  
120∼240  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSD526 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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与KSD526O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD526-O SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD526-O FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD526OTU FAIRCHILD

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 		Transistor,
KSD526-R FAIRCHILD

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