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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSD5086 | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5089 | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5090 | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5090 | NJSEMI | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD526 | FAIRCHILD | Power Amplifier Applications |
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| KSD526_06 | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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