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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD526OTU | FAIRCHILD |
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Transistor, |
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| KSD526-R | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| KSD526RJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| KSD526Y | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
|
| KSD526Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications |
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| KSD526-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| KSD526YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
|
| KSD526YTU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| KSD560 | SAMSUNG |
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NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE) |
|
| KSD560 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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