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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD5076 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5076 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5078 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5079 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5079 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5080 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5080 | NJSEMI |
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NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| KSD5080 | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5086 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSD5089 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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