KSD5062

更新时间： 2024-01-27 13:02:05

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSD5062 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
其他特性：	HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

KSD5062 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSD5060

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·High Reliability

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for color TV horizontal output applicaitions

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

2.5

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KSD5064	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
KSD5064	NJSEMI	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR	获取价格
KSD5065	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
KSD5065	NJSEMI	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR	获取价格
KSD5066	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格
KSD5066	NJSEMI	NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR	获取价格