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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 3.5 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD5016 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5017 | SAMSUNG |
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NPN (COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS) |
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| KSD5017 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| KSD5018 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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| KSD5018 | FAIRCHILD |
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Built-in Resistor at B-E for Motor Drive |
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| KSD5018J69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD5018TU | ROCHESTER |
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4A, 275V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| KSD5018TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD5019 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 2V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD5041 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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