KSC5305

更新时间： 2024-01-10 00:47:52

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关高压
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6页	105K
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High Voltage High Speed Power Switch Application

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KSC5305 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.31
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSC5305 数据手册

Typical Characteristics ^(Continued)

1000

100

f = 1MHz

V_CC= 300V

_C= 5I_B1= -2.5I_B2

t_STG

t_F

0.1

0.01

0.1

100

V_CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Figure 7. Switching Time

Figure 8. Collector Output Capacitance

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.1

0.01

1.0

1.5

2.0

0.1

I_f[A], FORWARD CURRENT

I_F[A], FORWARD DIODE CURRENT

Figure 9. Reverse Recovery Time

Figure 10. Forward Diode Voltage

100

1µs

10µs

1ms

5ms

0.1

0.01

100

1000

100

125

150

175

T_C[^oC], CASE TEMPERATURE

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 11. Safe Operating Area

Figure 12. Power Derating

Rev. A1, June 2001

1 2 345 6

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