5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSC5019PD74Z
KSC5019PD74Z PDF预览

KSC5019PD74Z

更新时间： 2024-11-03 06:41:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC5019PD74Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：420
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KSC5019PD74Z 数据手册

 浏览型号KSC5019PD74Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC5019PD74Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC5019PD74Z的Datasheet PDF文件第4页 
KSC5019  
Low Saturation  
•
V
(sat)=0.5V at I =2A, I =50mA  
CE C B  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Base Current  
30  
CBO  
30  
V
CES  
CEO  
EBO  
10  
V
6
V
I
I
I
2
A
C
5
2
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
750  
mW  
°C  
°C  
C
T
150  
J
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤30%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
100  
Units  
I
I
V
V
=30V, I =0  
nA  
nA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
=6V, I =0  
100  
C
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
I =10mA, I =0  
10  
6
CEO  
EBO  
C
B
I =1mA, I =0  
V
E
C
h
h
V
V
=1V, I =0.5A  
140  
70  
600  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =2A  
200  
0.2  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
I =2A, I =50mA  
0.5  
1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =2A  
0.86  
150  
27  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=1V, I =0.5A  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
L
M
N
P
h
140 ~ 240  
200 ~ 330  
300 ~ 450  
420 ~ 600  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSC5019PD74Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5020 SAMSUNG

获取价格

 		NPN (HIGH VOLTAGE, HIGH QUALITY)
KSC5020 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage, High Quality
KSC5020F SAMSUNG

获取价格

 		暂无描述
KSC5020OJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5020R FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5020RTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5020Y FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5020-Y SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5020YJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5021 SAMSUNG

获取价格

 		NPN (HIGH VOLTAGE, HIGH QUALITY)

与KSC5019PD74Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证