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KSB1116YJ18Z

更新时间： 2024-10-29 14:43:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSB1116YJ18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.65
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：135JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KSB1116YJ18Z 数据手册

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KSB1116/1116A  
Audio Frequency Power Amplifier & Medium  
Speed Switching  
•
Complement to KSD1616/1616A  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: KSB1116  
: KSB1116A  
-60  
-80  
V
V
CBO  
: KSB1116  
: KSB116A  
-50  
-60  
V
V
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-6  
-1  
V
A
EBO  
I
I
C
-2  
A
CP  
P
0.75  
150  
W
°C  
°C  
C
T
J
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-100  
-100  
Units  
I
I
V
V
V
= -60V, I =0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
= -6V, I = 0  
C
h
* DC Current Gain : KSB1116  
: KSB1116A  
= -2V, I = -100mA  
135  
135  
81  
600  
400  
FE1  
C
h
V
V
= -2V, I = -1A  
C
FE2  
CE  
CE  
V
V
V
(on)  
(sat)  
(sat)  
* Base-Emitter On Voltage  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
= -2V, I = -50mA  
-600  
-650  
-0.2  
-0.9  
25  
-700  
-0.3  
-1.2  
mV  
V
BE  
CE  
BE  
C
I = -1A, I = -50mA  
C
B
I = -1A, I = -50mA  
V
C
B
C
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
E
f
t
t
t
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
= -2V, I = -100mA  
70  
120  
0.07  
0.7  
T
C
= -10V, I = -100mA  
ON  
STG  
F
C
I
= -I = -10mA  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
V
(off)= 2~3V  
BE  
Fall Time  
0.07  
µs  
* Pulse Test: PW ≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Classification  
FE1  
Classification  
Y
G
L
h
135 ~ 270  
200 ~ 400  
300 ~ 600  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1116YTA FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSB1116YTA_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSB1121 FAIRCHILD

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 		High Current Driver Applications
KSB1121_05 FAIRCHILD

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 		PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
KSB1121R FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KSB1121-R SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
KSB1121S FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
KSB1121STF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE

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