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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB1017R
KSB1017R PDF预览

KSB1017R

更新时间： 2024-10-28 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSB1017R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9 MHz
Base Number Matches：1

KSB1017R 数据手册

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KSB1017  
Power Amplifier Applications  
•
Complement to KSD1408  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Silicon Epitaxial Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 80  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
- 80  
V
CEO  
EBO  
- 5  
V
I
I
- 4  
A
C
Base Current  
- 0.4  
25  
A
B
P
Collector Dissipation ( T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 50mA, I = 0  
-80  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 80V, I = 0  
- 30  
- 100  
240  
µA  
µA  
CB  
EB  
E
= - 5V, I = 0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 5V, I = - 0.5A  
40  
15  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 3A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 3A, I = - 0.3A  
- 1  
- 1  
9
- 1.7  
- 1.5  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
= - 5V, I = - 3A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
= - 5V, I = - 0.5A  
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
130  
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1017-R SAMSUNG

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 		暂无描述
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