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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz | VCEsat-Max： | 1.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1017YTU | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSB1022 | FAIRCHILD |
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High Power Switching Applications |
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| KSB1023 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| KSB1023TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1097 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSB1097O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1097-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1097OTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1097RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1097Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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