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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1097YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB1098 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSB1098 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSB1098O | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSB1098-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSB1098RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSB1098-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSB1116 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching |
|
| KSB1116 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
|
| KSB1116A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching |
|
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