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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 3000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB1098RTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSB1098-Y | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSB1116 | FAIRCHILD |
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Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching |
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| KSB1116 | FOSHAN |
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TO-92 |
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| KSB1116A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching |
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| KSB1116A | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| KSB1116A | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
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| KSB1116A-G | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO |
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| KSB1116AGBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
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| KSB1116AGBU | ROCHESTER |
获取价格 |
1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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