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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB1023TU
KSB1023TU PDF预览

KSB1023TU

更新时间： 2024-10-28 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSB1023TU 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSB1023TU 数据手册

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KSB1023  
Power Amplifier Applications  
•
•
•
High DC Current Gain  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Complement to KSD1413  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 60  
- 40  
- 5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
V
V
I
I
I
- 3  
A
C
- 6  
A
CP  
B
- 0.3  
2
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
C
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
T
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 25mA, I = 0  
- 40  
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 60V, I = 0  
- 20  
µA  
mA  
CB  
EB  
E
= - 5V, I = 0  
- 2.5  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 2V, I = - 1A  
2000  
1000  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 3A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= - 2A, I = - 4mA  
- 1.5  
- 2  
V
V
CE  
C
C
B
= - 2A, I = - 4mA  
BE  
B
t
t
t
V
I
= - 30V, I = - 3A  
0.3  
0.6  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= - I = - 6mA  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 10Ω  
L
Fall Time  
0.25  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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